SFB120N120B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFB120N120B
Código: 120N120B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 278 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 130 nC
Tiempo de subida (tr): 39 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 940 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0087 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFB120N120B
SFB120N120B Datasheet (PDF)
sfp120n120b sfb120n120b.pdf
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sfp120n80a sfb120n80a sfp066n80ac3 sfb063n80ac3.pdf
SFP120N80A,SFB120N80ASFP066N80AC3,SFB063N80AC3 N-MOSFET 80V, 5.5m, 120AFeatures Product Summary Enhancement Mode VDS80V Very Low On-Resistance RDS(on)5.5m Fast Switching ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100
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