SFB120N120B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFB120N120B

Маркировка: 120N120B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SFB120N120B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB120N120B даташит

 ..1. Size:7419K  cn scilicon
 sfp120n120b sfb120n120b.pdf pdf_icon

SFB120N120B

SFP120N120B,SFB120N120B N-MOSFET 120V, 7.5m , 120A Product Summary F eatures VDS 120V Reliable and Rugged RDS(on) typ. 7.5m Lead Free and Green Devices Available ID 120A (RoHS Compliant) 100% DVDS Tested pplications A 100% Avalanche Tested Switching application Power Management for Inverter Systems. SFP120N120B SFB120N120B N-Channel MOSFET Package Mar

 7.1. Size:7153K  cn scilicon
 sfp120n80a sfb120n80a sfp066n80ac3 sfb063n80ac3.pdf pdf_icon

SFB120N120B

SFP120N80A,SFB120N80A SFP066N80AC3,SFB063N80AC3 N-MOSFET 80V, 5.5m , 120A Features Product Summary Enhancement Mode VDS 80V Very Low On-Resistance RDS(on) 5.5m Fast Switching ID 120A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100

Другие IGBT... SFB082N68C2, SFB082N75C2, SFB082N80DC2, SFB083N80CC2, SFB087N120C2, SFB087N80C2, SFB096N200C3, SFB107N200C3, 7N60, SFB120N80A, SFB130N150AC2, SFB132N200C3, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2