SFB1800N650C2 Todos los transistores

 

SFB1800N650C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFB1800N650C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SFB1800N650C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:10381K  cn scilicon
 sfw1800n650c2 sfp1800n650c2 sfb1800n650c2.pdf pdf_icon

SFB1800N650C2

SFW1800N650C2,SFP1800N650C2,SFB1800N650C2 N-MOSFET 650V, 180m, 60AFeatures Product Summary Low R & FOMDS(on) VDS650VExtremely low switching lossRDS(on) typ. 180mExcellent stability and uniformityID60AEasy to drive100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Lighting Hard switching PWM Server power supply ChargerSFW

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History: IRFL014PBF | IRHQ9110

 

 
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