SFB1800N650C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFB1800N650C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SFB1800N650C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB1800N650C2 даташит

 ..1. Size:10381K  cn scilicon
 sfw1800n650c2 sfp1800n650c2 sfb1800n650c2.pdf pdf_icon

SFB1800N650C2

SFW1800N650C2,SFP1800N650C2,SFB1800N650C2 N-MOSFET 650V, 180m , 60A Features Product Summary Low R & FOM DS(on) VDS 650V Extremely low switching loss RDS(on) typ. 180m Excellent stability and uniformity ID 60A Easy to drive 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Lighting Hard switching PWM Server power supply Charger SFW

Другие IGBT... SFB087N120C2, SFB087N80C2, SFB096N200C3, SFB107N200C3, SFB120N120B, SFB120N80A, SFB130N150AC2, SFB132N200C3, IRLB3034, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2