Справочник MOSFET. SFB1800N650C2

 

SFB1800N650C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFB1800N650C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SFB1800N650C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB1800N650C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:10381K  cn scilicon
 sfw1800n650c2 sfp1800n650c2 sfb1800n650c2.pdf pdf_icon

SFB1800N650C2

SFW1800N650C2,SFP1800N650C2,SFB1800N650C2 N-MOSFET 650V, 180m, 60AFeatures Product Summary Low R & FOMDS(on) VDS650VExtremely low switching lossRDS(on) typ. 180mExcellent stability and uniformityID60AEasy to drive100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Lighting Hard switching PWM Server power supply ChargerSFW

Другие MOSFET... SFB087N120C2 , SFB087N80C2 , SFB096N200C3 , SFB107N200C3 , SFB120N120B , SFB120N80A , SFB130N150AC2 , SFB132N200C3 , 60N06 , SFB205N200C3 , SFB347N100C2 , SFB60N100 , SFD025N30C2 , SFD070N60C2 , SFD082N68C2 , SFD085N80C2 , SFD096N60BC2 .

History: OSG55R074FZF | APT10045B2LLG

 

 
Back to Top

 


 
.