SFB205N200C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFB205N200C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 213 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm

Encapsulados: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de SFB205N200C3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFB205N200C3 datasheet

 ..1. Size:951K  cn scilicon
 sfp210n200c3 sfb205n200c3.pdf pdf_icon

SFB205N200C3

SFP210N200C3,SFB205N200C3 N-MOSFET 200V, 16m , 75A Features Product Summary High Speed Power Smooth Switching V 200V DS Maximum 175 C junction temperature R 16m DS(on) Enhanced Body diode dv/dt capability I 75A D Enhanced Avalanche Ruggedness 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Manag

Otros transistores... SFB087N80C2, SFB096N200C3, SFB107N200C3, SFB120N120B, SFB120N80A, SFB130N150AC2, SFB132N200C3, SFB1800N650C2, IRF9640, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2