SFB205N200C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFB205N200C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 213 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SFB205N200C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB205N200C3 даташит

 ..1. Size:951K  cn scilicon
 sfp210n200c3 sfb205n200c3.pdf pdf_icon

SFB205N200C3

SFP210N200C3,SFB205N200C3 N-MOSFET 200V, 16m , 75A Features Product Summary High Speed Power Smooth Switching V 200V DS Maximum 175 C junction temperature R 16m DS(on) Enhanced Body diode dv/dt capability I 75A D Enhanced Avalanche Ruggedness 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Manag

Другие IGBT... SFB087N80C2, SFB096N200C3, SFB107N200C3, SFB120N120B, SFB120N80A, SFB130N150AC2, SFB132N200C3, SFB1800N650C2, IRF9640, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2