Справочник MOSFET. SFB205N200C3

 

SFB205N200C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFB205N200C3
   Маркировка: 205N200C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 102 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 213 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для SFB205N200C3

 

 

SFB205N200C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:951K  cn scilicon
 sfp210n200c3 sfb205n200c3.pdf

SFB205N200C3 SFB205N200C3

SFP210N200C3,SFB205N200C3 N-MOSFET 200V, 16m, 75AFeatures Product Summary High Speed Power Smooth SwitchingV 200V DS Maximum 175C junction temperatureR 16m DS(on) Enhanced Body diode dv/dt capabilityI 75A D Enhanced Avalanche Ruggedness100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Manag

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top