Справочник MOSFET. SFB205N200C3

 

SFB205N200C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFB205N200C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 213 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SFB205N200C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB205N200C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:951K  cn scilicon
 sfp210n200c3 sfb205n200c3.pdf pdf_icon

SFB205N200C3

SFP210N200C3,SFB205N200C3 N-MOSFET 200V, 16m, 75AFeatures Product Summary High Speed Power Smooth SwitchingV 200V DS Maximum 175C junction temperatureR 16m DS(on) Enhanced Body diode dv/dt capabilityI 75A D Enhanced Avalanche Ruggedness100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Manag

Другие MOSFET... SFB087N80C2 , SFB096N200C3 , SFB107N200C3 , SFB120N120B , SFB120N80A , SFB130N150AC2 , SFB132N200C3 , SFB1800N650C2 , AON7403 , SFB347N100C2 , SFB60N100 , SFD025N30C2 , SFD070N60C2 , SFD082N68C2 , SFD085N80C2 , SFD096N60BC2 , SFD347N100C2 .

 

 
Back to Top

 


 
.