SFD025N30C2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFD025N30C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 696 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SFD025N30C2 datasheet

 ..1. Size:851K  cn scilicon
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SFD025N30C2

SFD025N30C2 N-MOSFET 30V, 2.1m , 120A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 30V Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(on) 2.1m ID (Silicon limited) 120A ID (Package limited) 90A Application Motor control and drives 100% DVDS Tested Battery management 100% Avalanche Tested DC/DC converter 100% Avalanche Tested 1

Otros transistores... SFB120N120B, SFB120N80A, SFB130N150AC2, SFB132N200C3, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, K2611, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, SFG019N100C3, SFG025N150C3