SFD025N30C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFD025N30C2
   Código: 025N30C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 115 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 696 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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SFD025N30C2 Datasheet (PDF)

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sfd025n30c2.pdf

SFD025N30C2N-MOSFET 30V, 2.1m, 120AFeaturesProduct Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS30V Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)RDS(on)2.1mID (Silicon limited)120AID (Package limited) 90AApplication Motor control and drives 100% DVDS Tested Battery management100% Avalanche Tested DC/DC converter100% Avalanche Tested1

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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