SFD025N30C2 Todos los transistores

 

SFD025N30C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFD025N30C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 696 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SFD025N30C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  cn scilicon
 sfd025n30c2.pdf pdf_icon

SFD025N30C2

SFD025N30C2N-MOSFET 30V, 2.1m, 120AFeaturesProduct Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS30V Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)RDS(on)2.1mID (Silicon limited)120AID (Package limited) 90AApplication Motor control and drives 100% DVDS Tested Battery management100% Avalanche Tested DC/DC converter100% Avalanche Tested1

Otros transistores... SFB120N120B , SFB120N80A , SFB130N150AC2 , SFB132N200C3 , SFB1800N650C2 , SFB205N200C3 , SFB347N100C2 , SFB60N100 , IRF9640 , SFD070N60C2 , SFD082N68C2 , SFD085N80C2 , SFD096N60BC2 , SFD347N100C2 , SFG014N100BC3 , SFG019N100C3 , SFG025N150C3 .

History: 60N05-16 | J105 | SPP3414S23RG

 

 
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