SFD025N30C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFD025N30C2
Código: 025N30C2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 108 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 115 nC
Tiempo de subida (tr): 28.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 696 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFD025N30C2
SFD025N30C2 Datasheet (PDF)
sfd025n30c2.pdf
SFD025N30C2N-MOSFET 30V, 2.1m, 120AFeaturesProduct Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS30V Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)RDS(on)2.1mID (Silicon limited)120AID (Package limited) 90AApplication Motor control and drives 100% DVDS Tested Battery management100% Avalanche Tested DC/DC converter100% Avalanche Tested1
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .