Справочник MOSFET. SFD025N30C2

 

SFD025N30C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFD025N30C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 696 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SFD025N30C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFD025N30C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  cn scilicon
 sfd025n30c2.pdf pdf_icon

SFD025N30C2

SFD025N30C2N-MOSFET 30V, 2.1m, 120AFeaturesProduct Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS30V Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)RDS(on)2.1mID (Silicon limited)120AID (Package limited) 90AApplication Motor control and drives 100% DVDS Tested Battery management100% Avalanche Tested DC/DC converter100% Avalanche Tested1

Другие MOSFET... SFB120N120B , SFB120N80A , SFB130N150AC2 , SFB132N200C3 , SFB1800N650C2 , SFB205N200C3 , SFB347N100C2 , SFB60N100 , IRF9640 , SFD070N60C2 , SFD082N68C2 , SFD085N80C2 , SFD096N60BC2 , SFD347N100C2 , SFG014N100BC3 , SFG019N100C3 , SFG025N150C3 .

 

 
Back to Top

 


 
.