SFD025N30C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFD025N30C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 696 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SFD025N30C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFD025N30C2 даташит

 ..1. Size:851K  cn scilicon
 sfd025n30c2.pdf pdf_icon

SFD025N30C2

SFD025N30C2 N-MOSFET 30V, 2.1m , 120A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 30V Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(on) 2.1m ID (Silicon limited) 120A ID (Package limited) 90A Application Motor control and drives 100% DVDS Tested Battery management 100% Avalanche Tested DC/DC converter 100% Avalanche Tested 1

Другие IGBT... SFB120N120B, SFB120N80A, SFB130N150AC2, SFB132N200C3, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, K2611, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, SFG019N100C3, SFG025N150C3