Справочник MOSFET. SFD025N30C2

 

SFD025N30C2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFD025N30C2
   Маркировка: 025N30C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 115 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 696 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SFD025N30C2

 

 

SFD025N30C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  cn scilicon
 sfd025n30c2.pdf

SFD025N30C2 SFD025N30C2

SFD025N30C2N-MOSFET 30V, 2.1m, 120AFeaturesProduct Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS30V Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)RDS(on)2.1mID (Silicon limited)120AID (Package limited) 90AApplication Motor control and drives 100% DVDS Tested Battery management100% Avalanche Tested DC/DC converter100% Avalanche Tested1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top