SFD070N60C2 Todos los transistores

 

SFD070N60C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFD070N60C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 286 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SFD070N60C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:9210K  cn scilicon
 sfd070n60c2.pdf pdf_icon

SFD070N60C2

SFD070N60C2 N-MOSFET 60V, 5.3m, 90AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS60V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)5.3mID Qualified according to JEDEC criteria 90A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tes

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History: IRC630PBF | IRF7379QPBF | PN5433 | TMD830 | NTPF082N65S3F | IPP16CN10N | IRF7380

 

 
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