SFD070N60C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFD070N60C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SFD070N60C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFD070N60C2 даташит

 ..1. Size:9210K  cn scilicon
 sfd070n60c2.pdf pdf_icon

SFD070N60C2

SFD070N60C2 N-MOSFET 60V, 5.3m , 90A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 60V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) 5.3m ID Qualified according to JEDEC criteria 90A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tes

Другие IGBT... SFB120N80A, SFB130N150AC2, SFB132N200C3, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2, EMB04N03H, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, SFG019N100C3, SFG025N150C3, SFI085N68C2