Справочник MOSFET. SFD070N60C2

 

SFD070N60C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFD070N60C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SFD070N60C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFD070N60C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:9210K  cn scilicon
 sfd070n60c2.pdf pdf_icon

SFD070N60C2

SFD070N60C2 N-MOSFET 60V, 5.3m, 90AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS60V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)5.3mID Qualified according to JEDEC criteria 90A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tes

Другие MOSFET... SFB120N80A , SFB130N150AC2 , SFB132N200C3 , SFB1800N650C2 , SFB205N200C3 , SFB347N100C2 , SFB60N100 , SFD025N30C2 , 2SK3918 , SFD082N68C2 , SFD085N80C2 , SFD096N60BC2 , SFD347N100C2 , SFG014N100BC3 , SFG019N100C3 , SFG025N150C3 , SFI085N68C2 .

History: CS12N06AE-G | TMU4N60H | NCE035N30G

 

 
Back to Top

 


 
.