SFD082N68C2 Todos los transistores

 

SFD082N68C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFD082N68C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SFD082N68C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:660K  cn scilicon
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SFD082N68C2

SFD082N68C2N-MOSFET 68V, 7.1m, 85AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS68V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 7.1m Qualified according to JEDEC criteriaID85A100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested Motor control and drive

 9.1. Size:922K  cn scilicon
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SFD082N68C2

SFD085N80C2 N-MOSFET 80V, 7.5m, 85AFeatures Product Summary High Speed Power Smooth SwitchingV 80V DS Enhanced Body Diode dv/dt CapabilityR 7.5m DS(on) Enhanced Avalanche RuggednessI 85A D Low On Resistance Low Gate Charge100% DVDS Tested 100% Avalanche Tested Application Brushed and BLDC Motor drive systems Power switching applic

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History: IRL1104PBF | IPB80N04S4-04 | UT3N06G-AE3-R | GP2M002A060XG | AP13N50I-HF | 2SK3487 | STU75N3LLH6

 

 
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