SFD082N68C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFD082N68C2
Código: 082N68C2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 98 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 68 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 72 nC
Tiempo de subida (tr): 75 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 345 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0082 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFD082N68C2
SFD082N68C2 Datasheet (PDF)
sfd082n68c2.pdf
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sfd085n80c2.pdf
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