Справочник MOSFET. SFD082N68C2

 

SFD082N68C2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFD082N68C2
   Маркировка: 082N68C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SFD082N68C2

 

 

SFD082N68C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:660K  cn scilicon
 sfd082n68c2.pdf

SFD082N68C2 SFD082N68C2

SFD082N68C2N-MOSFET 68V, 7.1m, 85AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS68V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 7.1m Qualified according to JEDEC criteriaID85A100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested Motor control and drive

 9.1. Size:922K  cn scilicon
 sfd085n80c2.pdf

SFD082N68C2 SFD082N68C2

SFD085N80C2 N-MOSFET 80V, 7.5m, 85AFeatures Product Summary High Speed Power Smooth SwitchingV 80V DS Enhanced Body Diode dv/dt CapabilityR 7.5m DS(on) Enhanced Avalanche RuggednessI 85A D Low On Resistance Low Gate Charge100% DVDS Tested 100% Avalanche Tested Application Brushed and BLDC Motor drive systems Power switching applic

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top