SFD082N68C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFD082N68C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SFD082N68C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFD082N68C2 даташит

 ..1. Size:660K  cn scilicon
 sfd082n68c2.pdf pdf_icon

SFD082N68C2

SFD082N68C2 N-MOSFET 68V, 7.1m , 85A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 68V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 7.1m Qualified according to JEDEC criteria ID 85A 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested Motor control and drive

 9.1. Size:922K  cn scilicon
 sfd085n80c2.pdf pdf_icon

SFD082N68C2

SFD085N80C2 N-MOSFET 80V, 7.5m , 85A Features Product Summary High Speed Power Smooth Switching V 80V DS Enhanced Body Diode dv/dt Capability R 7.5m DS(on) Enhanced Avalanche Ruggedness I 85A D Low On Resistance Low Gate Charge 100% DVDS Tested 100% Avalanche Tested Application Brushed and BLDC Motor drive systems Power switching applic

Другие IGBT... SFB130N150AC2, SFB132N200C3, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, RU7088R, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, SFG019N100C3, SFG025N150C3, SFI085N68C2, SFP024N80C3