SFD085N80C2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFD085N80C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 282 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SFD085N80C2 datasheet

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SFD085N80C2

SFD085N80C2 N-MOSFET 80V, 7.5m , 85A Features Product Summary High Speed Power Smooth Switching V 80V DS Enhanced Body Diode dv/dt Capability R 7.5m DS(on) Enhanced Avalanche Ruggedness I 85A D Low On Resistance Low Gate Charge 100% DVDS Tested 100% Avalanche Tested Application Brushed and BLDC Motor drive systems Power switching applic

 9.1. Size:660K  cn scilicon
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SFD085N80C2

SFD082N68C2 N-MOSFET 68V, 7.1m , 85A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 68V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 7.1m Qualified according to JEDEC criteria ID 85A 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested Motor control and drive

Otros transistores... SFB132N200C3, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, MMIS60R580P, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, SFG019N100C3, SFG025N150C3, SFI085N68C2, SFP024N80C3, SFP024N80I3