SFD085N80C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFD085N80C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SFD085N80C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFD085N80C2 даташит

 ..1. Size:922K  cn scilicon
 sfd085n80c2.pdf pdf_icon

SFD085N80C2

SFD085N80C2 N-MOSFET 80V, 7.5m , 85A Features Product Summary High Speed Power Smooth Switching V 80V DS Enhanced Body Diode dv/dt Capability R 7.5m DS(on) Enhanced Avalanche Ruggedness I 85A D Low On Resistance Low Gate Charge 100% DVDS Tested 100% Avalanche Tested Application Brushed and BLDC Motor drive systems Power switching applic

 9.1. Size:660K  cn scilicon
 sfd082n68c2.pdf pdf_icon

SFD085N80C2

SFD082N68C2 N-MOSFET 68V, 7.1m , 85A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 68V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 7.1m Qualified according to JEDEC criteria ID 85A 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested Motor control and drive

Другие IGBT... SFB132N200C3, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, MMIS60R580P, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, SFG019N100C3, SFG025N150C3, SFI085N68C2, SFP024N80C3, SFP024N80I3