SFD085N80C2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFD085N80C2
Маркировка: 085N80C2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 97 nC
trⓘ - Время нарастания: 72 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SFD085N80C2
SFD085N80C2 Datasheet (PDF)
sfd085n80c2.pdf
SFD085N80C2 N-MOSFET 80V, 7.5m, 85AFeatures Product Summary High Speed Power Smooth SwitchingV 80V DS Enhanced Body Diode dv/dt CapabilityR 7.5m DS(on) Enhanced Avalanche RuggednessI 85A D Low On Resistance Low Gate Charge100% DVDS Tested 100% Avalanche Tested Application Brushed and BLDC Motor drive systems Power switching applic
sfd082n68c2.pdf
SFD082N68C2N-MOSFET 68V, 7.1m, 85AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS68V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 7.1m Qualified according to JEDEC criteriaID85A100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested Motor control and drive
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918