SFD096N60BC2 Todos los transistores

 

SFD096N60BC2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFD096N60BC2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SFD096N60BC2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  cn scilicon
 sfd096n60bc2.pdf pdf_icon

SFD096N60BC2

SFD096N60BC2N-MOSFET 60V, 8m, 60AFeatures Product Summary Low on resistanceV 60V DS Low gate chargeR 8m DS(on) typ. Fast switchingI 60A D High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC and AC/DC Converter

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History: SFP086N80CC2 | IPN70R360P7S

 

 
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