SFD096N60BC2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFD096N60BC2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SFD096N60BC2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFD096N60BC2 даташит

 ..1. Size:683K  cn scilicon
 sfd096n60bc2.pdf pdf_icon

SFD096N60BC2

Другие IGBT... SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, AOD4184A, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, SFG019N100C3, SFG025N150C3, SFI085N68C2, SFP024N80C3, SFP024N80I3, SFP026N100C3