Справочник MOSFET. SFD096N60BC2

 

SFD096N60BC2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFD096N60BC2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SFD096N60BC2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFD096N60BC2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  cn scilicon
 sfd096n60bc2.pdf pdf_icon

SFD096N60BC2

SFD096N60BC2N-MOSFET 60V, 8m, 60AFeatures Product Summary Low on resistanceV 60V DS Low gate chargeR 8m DS(on) typ. Fast switchingI 60A D High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC and AC/DC Converter

Другие MOSFET... SFB1800N650C2 , SFB205N200C3 , SFB347N100C2 , SFB60N100 , SFD025N30C2 , SFD070N60C2 , SFD082N68C2 , SFD085N80C2 , HY1906P , SFD347N100C2 , SFG014N100BC3 , SFG019N100C3 , SFG025N150C3 , SFI085N68C2 , SFP024N80C3 , SFP024N80I3 , SFP026N100C3 .

 

 
Back to Top

 


 
.