SFD096N60BC2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFD096N60BC2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 54 ns
Выходная емкость (Cd): 415 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SFD096N60BC2
SFD096N60BC2 Datasheet (PDF)
..1. Size:683K cn scilicon
sfd096n60bc2.pdf
sfd096n60bc2.pdf
SFD096N60BC2N-MOSFET 60V, 8m, 60AFeatures Product Summary Low on resistanceV 60V DS Low gate chargeR 8m DS(on) typ. Fast switchingI 60A D High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC and AC/DC Converter
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
