SFG019N100C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFG019N100C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm

Encapsulados: TO-247PLUS-4L

 Búsqueda de reemplazo de SFG019N100C3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFG019N100C3 datasheet

 ..1. Size:659K  cn scilicon
 sfg019n100c3.pdf pdf_icon

SFG019N100C3

 9.1. Size:860K  cn scilicon
 sfg014n100bc3.pdf pdf_icon

SFG019N100C3

SFG014N100BC3 N-MOSFET 100V, 1.1m , 280A Features Product Summary Low on resistance V 100V DS Low gate charge R 1.1m DS(on) typ. Fast switching I 408A D(Silicon Limited) High avalanche current I 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Otros transistores... SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, IRFP064N, SFG025N150C3, SFI085N68C2, SFP024N80C3, SFP024N80I3, SFP026N100C3, SFP026N30BC3, SFP028N100C3, SFP030N100C3