SFG019N100C3 Todos los transistores

 

SFG019N100C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFG019N100C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247PLUS-4L
 

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SFG019N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  cn scilicon
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SFG019N100C3

SFG019N100C3 N-MOSFET 100V, 1.5m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.5m DS(on) typ. Fast switchingI 420A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

 9.1. Size:860K  cn scilicon
 sfg014n100bc3.pdf pdf_icon

SFG019N100C3

SFG014N100BC3 N-MOSFET 100V, 1.1m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.1m DS(on) typ. Fast switchingI 408A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

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History: MMBT7002VW | STP10N80K5 | IRFU7440PBF | IPN70R900P7S | IRF7700G | SI4944DY

 

 
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