Справочник MOSFET. SFG019N100C3

 

SFG019N100C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFG019N100C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: TO-247PLUS-4L
 

 Аналог (замена) для SFG019N100C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG019N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  cn scilicon
 sfg019n100c3.pdf pdf_icon

SFG019N100C3

SFG019N100C3 N-MOSFET 100V, 1.5m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.5m DS(on) typ. Fast switchingI 420A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

 9.1. Size:860K  cn scilicon
 sfg014n100bc3.pdf pdf_icon

SFG019N100C3

SFG014N100BC3 N-MOSFET 100V, 1.1m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.1m DS(on) typ. Fast switchingI 408A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Другие MOSFET... SFB60N100 , SFD025N30C2 , SFD070N60C2 , SFD082N68C2 , SFD085N80C2 , SFD096N60BC2 , SFD347N100C2 , SFG014N100BC3 , 5N50 , SFG025N150C3 , SFI085N68C2 , SFP024N80C3 , SFP024N80I3 , SFP026N100C3 , SFP026N30BC3 , SFP028N100C3 , SFP030N100C3 .

 

 
Back to Top

 


 
.