SFG019N100C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG019N100C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: TO-247PLUS-4L

Аналог (замена) для SFG019N100C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG019N100C3 даташит

 ..1. Size:659K  cn scilicon
 sfg019n100c3.pdf pdf_icon

SFG019N100C3

 9.1. Size:860K  cn scilicon
 sfg014n100bc3.pdf pdf_icon

SFG019N100C3

SFG014N100BC3 N-MOSFET 100V, 1.1m , 280A Features Product Summary Low on resistance V 100V DS Low gate charge R 1.1m DS(on) typ. Fast switching I 408A D(Silicon Limited) High avalanche current I 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Другие IGBT... SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, IRFP064N, SFG025N150C3, SFI085N68C2, SFP024N80C3, SFP024N80I3, SFP026N100C3, SFP026N30BC3, SFP028N100C3, SFP030N100C3