SFI085N68C2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFI085N68C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO-262

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SFI085N68C2 datasheet

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SFI085N68C2

SFI085N68C2 N-MOSFET 68V, 7.1m , 100A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 68V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 7.1m Qualified according to JEDEC criteria ID 100A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies) SFI085N68C2 Pa

Otros transistores... SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, SFG019N100C3, SFG025N150C3, IRF730, SFP024N80C3, SFP024N80I3, SFP026N100C3, SFP026N30BC3, SFP028N100C3, SFP030N100C3, SFP032N100C3, SFP033N85C3