SFI085N68C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFI085N68C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFI085N68C2

SFI085N68C2 Datasheet (PDF)

..1. Size:5799K cn scilicon
sfi085n68c2.pdf

SFI085N68C2 N-MOSFET 68V, 7.1m, 100AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS68V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 7.1m Qualified according to JEDEC criteria ID100A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFI085N68C2Pa

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AP6679GM-HF

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: