SFI085N68C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFI085N68C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для SFI085N68C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFI085N68C2 даташит

 ..1. Size:5799K  cn scilicon
 sfi085n68c2.pdf pdf_icon

SFI085N68C2

SFI085N68C2 N-MOSFET 68V, 7.1m , 100A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 68V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 7.1m Qualified according to JEDEC criteria ID 100A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies) SFI085N68C2 Pa

Другие IGBT... SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, SFG019N100C3, SFG025N150C3, IRF730, SFP024N80C3, SFP024N80I3, SFP026N100C3, SFP026N30BC3, SFP028N100C3, SFP030N100C3, SFP032N100C3, SFP033N85C3