Справочник MOSFET. SFI085N68C2

 

SFI085N68C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFI085N68C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для SFI085N68C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFI085N68C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5799K  cn scilicon
 sfi085n68c2.pdf pdf_icon

SFI085N68C2

SFI085N68C2 N-MOSFET 68V, 7.1m, 100AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS68V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 7.1m Qualified according to JEDEC criteria ID100A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFI085N68C2Pa

Другие MOSFET... SFD070N60C2 , SFD082N68C2 , SFD085N80C2 , SFD096N60BC2 , SFD347N100C2 , SFG014N100BC3 , SFG019N100C3 , SFG025N150C3 , BS170 , SFP024N80C3 , SFP024N80I3 , SFP026N100C3 , SFP026N30BC3 , SFP028N100C3 , SFP030N100C3 , SFP032N100C3 , SFP033N85C3 .

History: WMS12P03T1 | RUH60100M

 

 
Back to Top

 


 
.