SFP120N80A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFP120N80A
Código: 120N80A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 157 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 59 nC
Tiempo de subida (tr): 32.7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1596 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0063 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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SFP120N80A Datasheet (PDF)
sfp120n80a sfb120n80a sfp066n80ac3 sfb063n80ac3.pdf
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sfp120n120b sfb120n120b.pdf
SFP120N120B,SFB120N120B N-MOSFET 120V, 7.5m, 120AProduct SummaryFeaturesVDS120V Reliable and RuggedRDS(on) typ. 7.5m Lead Free and Green Devices AvailableID120A(RoHS Compliant)100% DVDS TestedpplicationsA100% Avalanche TestedSwitching application Power Management for Inverter Systems.SFP120N120B SFB120N120BN-Channel MOSFETPackage Mar
sfp12n65.pdf
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History: AOT2500L
