Справочник MOSFET. SFP120N80A

 

SFP120N80A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFP120N80A
   Маркировка: 120N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 157 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 59 nC
   Время нарастания (tr): 32.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 1596 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для SFP120N80A

 

 

SFP120N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7153K  cn scilicon
sfp120n80a sfb120n80a sfp066n80ac3 sfb063n80ac3.pdf

SFP120N80A
SFP120N80A

SFP120N80A,SFB120N80ASFP066N80AC3,SFB063N80AC3 N-MOSFET 80V, 5.5m, 120AFeatures Product Summary Enhancement Mode VDS80V Very Low On-Resistance RDS(on)5.5m Fast Switching ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100

 7.1. Size:7419K  cn scilicon
sfp120n120b sfb120n120b.pdf

SFP120N80A
SFP120N80A

SFP120N120B,SFB120N120B N-MOSFET 120V, 7.5m, 120AProduct SummaryFeaturesVDS120V Reliable and RuggedRDS(on) typ. 7.5m Lead Free and Green Devices AvailableID120A(RoHS Compliant)100% DVDS TestedpplicationsA100% Avalanche TestedSwitching application Power Management for Inverter Systems.SFP120N120B SFB120N120BN-Channel MOSFETPackage Mar

 9.1. Size:475K  winsemi
sfp12n65.pdf

SFP120N80A
SFP120N80A

SFP12N65SFP12N65SFP12N65SFP12N65Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 12A,650V,RDS(on)(Max0.78)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top