SFP1800N650C2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP1800N650C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO-220

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SFP1800N650C2 datasheet

 ..1. Size:10381K  cn scilicon
 sfw1800n650c2 sfp1800n650c2 sfb1800n650c2.pdf pdf_icon

SFP1800N650C2

SFW1800N650C2,SFP1800N650C2,SFB1800N650C2 N-MOSFET 650V, 180m , 60A Features Product Summary Low R & FOM DS(on) VDS 650V Extremely low switching loss RDS(on) typ. 180m Excellent stability and uniformity ID 60A Easy to drive 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Lighting Hard switching PWM Server power supply Charger SFW

Otros transistores... SFP090N120C2, SFP090N80C2, SFP098N200C3, SFP110N200C3, SFP120N120B, SFP120N80A, SFP133N150AC2, SFP135N200C3, IRF1407, SFP210N200C3, SFP350N100C2, SFP60N100, SFQ020N100C3, SFQ030N100C3, SFQ030N80C2, SFQ230N100, SFT016N80C3