SFP1800N650C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFP1800N650C2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 151 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 23.3 nC
Tiempo de subida (tr): 49.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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SFP1800N650C2 Datasheet (PDF)
..1. Size:10381K cn scilicon
sfw1800n650c2 sfp1800n650c2 sfb1800n650c2.pdf
sfw1800n650c2 sfp1800n650c2 sfb1800n650c2.pdf
SFW1800N650C2,SFP1800N650C2,SFB1800N650C2 N-MOSFET 650V, 180m, 60AFeatures Product Summary Low R & FOMDS(on) VDS650VExtremely low switching lossRDS(on) typ. 180mExcellent stability and uniformityID60AEasy to drive100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Lighting Hard switching PWM Server power supply ChargerSFW
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SSP60R075SFD2
