SFP1800N650C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP1800N650C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для SFP1800N650C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP1800N650C2 даташит

 ..1. Size:10381K  cn scilicon
 sfw1800n650c2 sfp1800n650c2 sfb1800n650c2.pdf pdf_icon

SFP1800N650C2

SFW1800N650C2,SFP1800N650C2,SFB1800N650C2 N-MOSFET 650V, 180m , 60A Features Product Summary Low R & FOM DS(on) VDS 650V Extremely low switching loss RDS(on) typ. 180m Excellent stability and uniformity ID 60A Easy to drive 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Lighting Hard switching PWM Server power supply Charger SFW

Другие IGBT... SFP090N120C2, SFP090N80C2, SFP098N200C3, SFP110N200C3, SFP120N120B, SFP120N80A, SFP133N150AC2, SFP135N200C3, IRF1407, SFP210N200C3, SFP350N100C2, SFP60N100, SFQ020N100C3, SFQ030N100C3, SFQ030N80C2, SFQ230N100, SFT016N80C3