SFP210N200C3 Todos los transistores

 

SFP210N200C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP210N200C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 213 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm

Encapsulados: TO-220

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SFP210N200C3 datasheet

 ..1. Size:951K  cn scilicon
 sfp210n200c3 sfb205n200c3.pdf pdf_icon

SFP210N200C3

SFP210N200C3,SFB205N200C3 N-MOSFET 200V, 16m , 75A Features Product Summary High Speed Power Smooth Switching V 200V DS Maximum 175 C junction temperature R 16m DS(on) Enhanced Body diode dv/dt capability I 75A D Enhanced Avalanche Ruggedness 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Manag

Otros transistores... SFP090N80C2 , SFP098N200C3 , SFP110N200C3 , SFP120N120B , SFP120N80A , SFP133N150AC2 , SFP135N200C3 , SFP1800N650C2 , 2SK3568 , SFP350N100C2 , SFP60N100 , SFQ020N100C3 , SFQ030N100C3 , SFQ030N80C2 , SFQ230N100 , SFT016N80C3 , SFT018N100C3 .

History: SWD2N70D | 2SK1324 | SWD086R68E7T | AOW11S60 | SIS412DN

 

 

 

 

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