SFP210N200C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFP210N200C3
Маркировка: 210N200C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 102 nC
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 213 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для SFP210N200C3
SFP210N200C3 Datasheet (PDF)
sfp210n200c3 sfb205n200c3.pdf
SFP210N200C3,SFB205N200C3 N-MOSFET 200V, 16m, 75AFeatures Product Summary High Speed Power Smooth SwitchingV 200V DS Maximum 175C junction temperatureR 16m DS(on) Enhanced Body diode dv/dt capabilityI 75A D Enhanced Avalanche Ruggedness100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Manag
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F