SFP60N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFP60N100
   Código: 60N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 78 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 36 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 60 nC
   Tiempo de subida (tr): 26 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 96 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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SFP60N100 Datasheet (PDF)

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sfp60n100 sfb60n100 sfp350n100c2 sfb347n100c2.pdf

SFP60N100,SFB60N100SFP350N100C2,SFB347N100C2N-MOSFET 100V, 30m, 36AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 30m Qualified according to JEDEC criteria ID36AApplications100% DVDS Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested Battery management UPS (Uninterrupible

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Liste

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