SFP60N100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP60N100

Código: 60N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-220

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SFP60N100 datasheet

 ..1. Size:769K  cn scilicon
 sfp60n100 sfb60n100 sfp350n100c2 sfb347n100c2.pdf pdf_icon

SFP60N100

SFP60N100,SFB60N100 SFP350N100C2,SFB347N100C2 N-MOSFET 100V, 30m , 36A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 30m Qualified according to JEDEC criteria ID 36A Applications 100% DVDS Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested Battery management UPS (Uninterrupible

Otros transistores... SFP110N200C3, SFP120N120B, SFP120N80A, SFP133N150AC2, SFP135N200C3, SFP1800N650C2, SFP210N200C3, SFP350N100C2, 5N60, SFQ020N100C3, SFQ030N100C3, SFQ030N80C2, SFQ230N100, SFT016N80C3, SFT018N100C3, SFW024N100C3, SFW025N100C3