Справочник MOSFET. SFP60N100

 

SFP60N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP60N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SFP60N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP60N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  cn scilicon
 sfp60n100 sfb60n100 sfp350n100c2 sfb347n100c2.pdf pdf_icon

SFP60N100

SFP60N100,SFB60N100SFP350N100C2,SFB347N100C2N-MOSFET 100V, 30m, 36AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 30m Qualified according to JEDEC criteria ID36AApplications100% DVDS Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested Battery management UPS (Uninterrupible

Другие MOSFET... SFP110N200C3 , SFP120N120B , SFP120N80A , SFP133N150AC2 , SFP135N200C3 , SFP1800N650C2 , SFP210N200C3 , SFP350N100C2 , 13N50 , SFQ020N100C3 , SFQ030N100C3 , SFQ030N80C2 , SFQ230N100 , SFT016N80C3 , SFT018N100C3 , SFW024N100C3 , SFW025N100C3 .

History: RU8590S | FDBL86363-F085 | RF1S70N06 | HY1808AP | FQPF2N80YDTU

 

 
Back to Top

 


 
.