SFQ020N100C3 Todos los transistores

 

SFQ020N100C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFQ020N100C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247PLUS
 

 Búsqueda de reemplazo de SFQ020N100C3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SFQ020N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7672K  cn scilicon
 sfq020n100c3.pdf pdf_icon

SFQ020N100C3

SFQ020N100C3 N-MOSFET 100V, 1.4m, 200AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 1.4m Qualified according to JEDEC criteria ID200A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFQ020N100C3

Otros transistores... SFP120N120B , SFP120N80A , SFP133N150AC2 , SFP135N200C3 , SFP1800N650C2 , SFP210N200C3 , SFP350N100C2 , SFP60N100 , SKD502T , SFQ030N100C3 , SFQ030N80C2 , SFQ230N100 , SFT016N80C3 , SFT018N100C3 , SFW024N100C3 , SFW025N100C3 , SFW025N100I3 .

History: IPI80P04P4L-04 | FDB86366-F085 | RU30S15H | SSP60R070S2E | NCE3095G | IRLZ44S | SSB65R090S2

 

 
Back to Top

 


 
.