SFQ020N100C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFQ020N100C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: TO247PLUS

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SFQ020N100C3 datasheet

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SFQ020N100C3

SFQ020N100C3 N-MOSFET 100V, 1.4m , 200A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 1.4m Qualified according to JEDEC criteria ID 200A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies) SFQ020N100C3

Otros transistores... SFP120N120B, SFP120N80A, SFP133N150AC2, SFP135N200C3, SFP1800N650C2, SFP210N200C3, SFP350N100C2, SFP60N100, RFP50N06, SFQ030N100C3, SFQ030N80C2, SFQ230N100, SFT016N80C3, SFT018N100C3, SFW024N100C3, SFW025N100C3, SFW025N100I3