Справочник MOSFET. SFQ020N100C3

 

SFQ020N100C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFQ020N100C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3117 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO247PLUS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFQ020N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7672K  cn scilicon
 sfq020n100c3.pdf pdf_icon

SFQ020N100C3

SFQ020N100C3 N-MOSFET 100V, 1.4m, 200AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 1.4m Qualified according to JEDEC criteria ID200A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFQ020N100C3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HM3N120F | AP2306CGN-HF | STB8NM60N | FDN86265P | AP3908GD | FIR7NS70AFG | FDD6296

 

 
Back to Top

 


 
.