SFQ020N100C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFQ020N100C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 3117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: TO247PLUS

Аналог (замена) для SFQ020N100C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFQ020N100C3 даташит

 ..1. Size:7672K  cn scilicon
 sfq020n100c3.pdf pdf_icon

SFQ020N100C3

SFQ020N100C3 N-MOSFET 100V, 1.4m , 200A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 1.4m Qualified according to JEDEC criteria ID 200A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies) SFQ020N100C3

Другие IGBT... SFP120N120B, SFP120N80A, SFP133N150AC2, SFP135N200C3, SFP1800N650C2, SFP210N200C3, SFP350N100C2, SFP60N100, RFP50N06, SFQ030N100C3, SFQ030N80C2, SFQ230N100, SFT016N80C3, SFT018N100C3, SFW024N100C3, SFW025N100C3, SFW025N100I3