Справочник MOSFET. SFQ020N100C3

 

SFQ020N100C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFQ020N100C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO247PLUS
 

 Аналог (замена) для SFQ020N100C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFQ020N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7672K  cn scilicon
 sfq020n100c3.pdf pdf_icon

SFQ020N100C3

SFQ020N100C3 N-MOSFET 100V, 1.4m, 200AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 1.4m Qualified according to JEDEC criteria ID200A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFQ020N100C3

Другие MOSFET... SFP120N120B , SFP120N80A , SFP133N150AC2 , SFP135N200C3 , SFP1800N650C2 , SFP210N200C3 , SFP350N100C2 , SFP60N100 , SKD502T , SFQ030N100C3 , SFQ030N80C2 , SFQ230N100 , SFT016N80C3 , SFT018N100C3 , SFW024N100C3 , SFW025N100C3 , SFW025N100I3 .

History: SI3477DV-T1-GE3 | SUN0460D | IRLZ44S | PSMN3R7-100BSE | JSM36326 | MTE65N20H8 | NCEP058N85M

 

 
Back to Top

 


 
.