SFW031N100C3 Todos los transistores

 

SFW031N100C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFW031N100C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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SFW031N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:780K  cn scilicon
 sfw031n100c3.pdf pdf_icon

SFW031N100C3

SFW031N100C3 N-MOSFET 100V, 2.6m, 265AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 2.6m DS(on) typ. Fast switchingI 265A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC

Otros transistores... SFQ030N80C2 , SFQ230N100 , SFT016N80C3 , SFT018N100C3 , SFW024N100C3 , SFW025N100C3 , SFW025N100I3 , SFW027N100C3 , IRFB31N20D , SFW042N100C3 , SFW043N150C3 , SFW072N150C2 , SFW082N165C3 , SFW095N200C3 , SFW097N200C3 , SFW107N200C3 , SFW132N200I3 .

History: IRL7472L1TRPBF | 2SJ179 | 2SK3353-Z | RE1E002SP | SSF6NS70F | SJMN600R65CF | SI5N60L-TM3-T

 

 
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