SFW031N100C3 Todos los transistores

 

SFW031N100C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFW031N100C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFW031N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:780K  cn scilicon
 sfw031n100c3.pdf pdf_icon

SFW031N100C3

SFW031N100C3 N-MOSFET 100V, 2.6m, 265AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 2.6m DS(on) typ. Fast switchingI 265A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AM2336N-T1 | SMOS44N80

 

 
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