SFW031N100C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFW031N100C3
   Código: 031N100C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 278 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 190 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 171 nC
   Tiempo de subida (tr): 72 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1245 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

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SFW031N100C3 Datasheet (PDF)

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sfw031n100c3.pdf

SFW031N100C3 N-MOSFET 100V, 2.6m, 265AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 2.6m DS(on) typ. Fast switchingI 265A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: