SFW031N100C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFW031N100C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm

Encapsulados: TO-247

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SFW031N100C3 datasheet

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SFW031N100C3

SFW031N100C3 N-MOSFET 100V, 2.6m , 265A Features Product Summary Low on resistance V 100V DS Low gate charge R 2.6m DS(on) typ. Fast switching I 265A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC

Otros transistores... SFQ030N80C2, SFQ230N100, SFT016N80C3, SFT018N100C3, SFW024N100C3, SFW025N100C3, SFW025N100I3, SFW027N100C3, 8N60, SFW042N100C3, SFW043N150C3, SFW072N150C2, SFW082N165C3, SFW095N200C3, SFW097N200C3, SFW107N200C3, SFW132N200I3