Справочник MOSFET. SFW031N100C3

 

SFW031N100C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFW031N100C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для SFW031N100C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFW031N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:780K  cn scilicon
 sfw031n100c3.pdf pdf_icon

SFW031N100C3

SFW031N100C3 N-MOSFET 100V, 2.6m, 265AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 2.6m DS(on) typ. Fast switchingI 265A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC

Другие MOSFET... SFQ030N80C2 , SFQ230N100 , SFT016N80C3 , SFT018N100C3 , SFW024N100C3 , SFW025N100C3 , SFW025N100I3 , SFW027N100C3 , K2611 , SFW042N100C3 , SFW043N150C3 , SFW072N150C2 , SFW082N165C3 , SFW095N200C3 , SFW097N200C3 , SFW107N200C3 , SFW132N200I3 .

History: NTMS4939NR2G | WMO14N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.