SFW042N100C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFW042N100C3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 306 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: TO-247

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SFW042N100C3 datasheet

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SFW042N100C3

SFW042N100C3 N-MOSFET 100V, 3.4m , 160A Features Product Summary Enhancement Mode VDS 100V Very Low On-Resistance RDS(on) 3.4m Fast Switching ID 160A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested DC/DC C

 9.1. Size:6396K  cn scilicon
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SFW042N100C3

SFP046N150C3,SFB043N150C3,SFW043N150C3 N-MOSFET 150V, 3.9m Product Summary Features High Speed Power Smooth Switching VDS 150V Enhanced Body diode dv/dt capability RDS(on) typ. 3.9m Enhanced Avalanche Ruggedness I R 206A D (Sillicon Limited) Applications 100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit 100% Avala

Otros transistores... SFQ230N100, SFT016N80C3, SFT018N100C3, SFW024N100C3, SFW025N100C3, SFW025N100I3, SFW027N100C3, SFW031N100C3, MMIS60R580P, SFW043N150C3, SFW072N150C2, SFW082N165C3, SFW095N200C3, SFW097N200C3, SFW107N200C3, SFW132N200I3, SFW1800N650C2