SFW042N100C3 Todos los transistores

 

SFW042N100C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFW042N100C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 306 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFW042N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1345K  cn scilicon
 sfw042n100c3.pdf pdf_icon

SFW042N100C3

SFW042N100C3 N-MOSFET 100V, 3.4m, 160AFeaturesProduct Summary Enhancement Mode VDS100V Very Low On-Resistance RDS(on)3.4m Fast Switching ID 160A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested DC/DC C

 9.1. Size:6396K  cn scilicon
 sfp046n150c3 sfb043n150c3 sfw043n150c3.pdf pdf_icon

SFW042N100C3

SFP046N150C3,SFB043N150C3,SFW043N150C3 N-MOSFET 150V, 3.9mProduct SummaryFeatures High Speed Power Smooth Switching VDS150V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on) typ. 3.9m Enhanced Avalanche RuggednessIR 206AD (Sillicon Limited)Applications100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit100% Avala

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History: BSS84KR

 

 
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