Справочник MOSFET. SFW042N100C3

 

SFW042N100C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFW042N100C3
   Маркировка: 042N100C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 306 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 100 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для SFW042N100C3

 

 

SFW042N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1345K  cn scilicon
 sfw042n100c3.pdf

SFW042N100C3 SFW042N100C3

SFW042N100C3 N-MOSFET 100V, 3.4m, 160AFeaturesProduct Summary Enhancement Mode VDS100V Very Low On-Resistance RDS(on)3.4m Fast Switching ID 160A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested DC/DC C

 9.1. Size:6396K  cn scilicon
 sfp046n150c3 sfb043n150c3 sfw043n150c3.pdf

SFW042N100C3 SFW042N100C3

SFP046N150C3,SFB043N150C3,SFW043N150C3 N-MOSFET 150V, 3.9mProduct SummaryFeatures High Speed Power Smooth Switching VDS150V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on) typ. 3.9m Enhanced Avalanche RuggednessIR 206AD (Sillicon Limited)Applications100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit100% Avala

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top