SFW082N165C3 Todos los transistores

 

SFW082N165C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFW082N165C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 165 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 128 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1343 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFW082N165C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:10885K  cn scilicon
 sfw082n165c3.pdf pdf_icon

SFW082N165C3

SFW082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m, 120AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on)7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalan

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK1279 | IRL3714LPBF

 

 
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