SFW082N165C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFW082N165C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 165 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 128 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1343 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm

Encapsulados: TO-247

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SFW082N165C3 datasheet

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SFW082N165C3

SFW082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m , 120A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) 7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalan

Otros transistores... SFW024N100C3, SFW025N100C3, SFW025N100I3, SFW027N100C3, SFW031N100C3, SFW042N100C3, SFW043N150C3, SFW072N150C2, IRFB31N20D, SFW095N200C3, SFW097N200C3, SFW107N200C3, SFW132N200I3, SFW1800N650C2, SFW280N600BC4, SFW280N600C4, SLC500MM10SCT2