Справочник MOSFET. SFW082N165C3

 

SFW082N165C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFW082N165C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 165 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1343 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для SFW082N165C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFW082N165C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:10885K  cn scilicon
 sfw082n165c3.pdf pdf_icon

SFW082N165C3

SFW082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m, 120AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on)7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalan

Другие MOSFET... SFW024N100C3 , SFW025N100C3 , SFW025N100I3 , SFW027N100C3 , SFW031N100C3 , SFW042N100C3 , SFW043N150C3 , SFW072N150C2 , IRF730 , SFW095N200C3 , SFW097N200C3 , SFW107N200C3 , SFW132N200I3 , SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 .

History: WMO115N15HG4 | RP1L080SN | WMO099N10LGS | IPI029N06N | DMN2004VK | UT3N06G-AE3 | AP9918J

 

 
Back to Top

 


 
.