SFW082N165C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFW082N165C3
Маркировка: 082N165C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 450 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 165 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 128 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
Время нарастания (tr): 107 ns
Выходная емкость (Cd): 1343 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0082 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для SFW082N165C3
SFW082N165C3 Datasheet (PDF)
..1. Size:10885K cn scilicon
sfw082n165c3.pdf
sfw082n165c3.pdf
SFW082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m, 120AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on)7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalan
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
