SFW082N165C3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SFW082N165C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 165 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1343 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для SFW082N165C3
SFW082N165C3 Datasheet (PDF)
sfw082n165c3.pdf
SFW082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m, 120AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on)7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalan
Другие MOSFET... SFW024N100C3 , SFW025N100C3 , SFW025N100I3 , SFW027N100C3 , SFW031N100C3 , SFW042N100C3 , SFW043N150C3 , SFW072N150C2 , IRFB31N20D , SFW095N200C3 , SFW097N200C3 , SFW107N200C3 , SFW132N200I3 , SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor

