SFW107N200C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFW107N200C3
Código: 107N200C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 375 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 132 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 58 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 425 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0107 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFW107N200C3
SFW107N200C3 Datasheet (PDF)
sfw107n200c3.pdf
SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 8.6m, 132AFeatureProduct Summary High Speed Power Smooth SwitchingVDS200V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on) typ. 8.6m Enhanced Avalanche Ruggedness Lead Free ID132A100% DVDS TestedApplication Synchronous Rectification in SMPS100% Avalanche Tested Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools
sfp110n200c3 sfb107n200c3 sfw107n200c3.pdf
SFP110N200C3,SFB107N200C3,SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.4m, 132AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 9.4m DS(on) typ. Fast switchingI 132A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems
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