SFW107N200C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFW107N200C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 132 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm

Encapsulados: TO-247

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SFW107N200C3 datasheet

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SFW107N200C3

SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 8.6m , 132A Feature Product Summary High Speed Power Smooth Switching VDS 200V Enhanced Body diode dv/dt capability RDS(on) typ. 8.6m Enhanced Avalanche Ruggedness Lead Free ID 132A 100% DVDS Tested Application Synchronous Rectification in SMPS 100% Avalanche Tested Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools

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SFW107N200C3

SFP110N200C3,SFB107N200C3,SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.4m , 132A Features Product Summary Low on resistance V 200V DS Low gate charge R 9.4m DS(on) typ. Fast switching I 132A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Otros transistores... SFW027N100C3, SFW031N100C3, SFW042N100C3, SFW043N150C3, SFW072N150C2, SFW082N165C3, SFW095N200C3, SFW097N200C3, 7N60, SFW132N200I3, SFW1800N650C2, SFW280N600BC4, SFW280N600C4, SLC500MM10SCT2, SLC500MM15SHN2, SLC500MM20SHN2, SLC700MM10SCN2