Справочник MOSFET. SFW107N200C3

 

SFW107N200C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFW107N200C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 132 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для SFW107N200C3

 

 

SFW107N200C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:16487K  cn scilicon
 sfw107n200c3.pdf

SFW107N200C3 SFW107N200C3

SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 8.6m, 132AFeatureProduct Summary High Speed Power Smooth SwitchingVDS200V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on) typ. 8.6m Enhanced Avalanche Ruggedness Lead Free ID132A100% DVDS TestedApplication Synchronous Rectification in SMPS100% Avalanche Tested Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools

 ..2. Size:1151K  cn scilicon
 sfp110n200c3 sfb107n200c3 sfw107n200c3.pdf

SFW107N200C3 SFW107N200C3

SFP110N200C3,SFB107N200C3,SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.4m, 132AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 9.4m DS(on) typ. Fast switchingI 132A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF640N , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
Back to Top