SFW132N200I3 Todos los transistores

 

SFW132N200I3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFW132N200I3
   Código: 132N200I3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 83 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 402 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0132 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

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SFW132N200I3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1074K  cn scilicon
sfw132n200i3.pdf

SFW132N200I3 SFW132N200I3

SFW132N200I3 N-MOSFET 200V, 10.4m, 95A Features Product Summary N-channel, normal levelV 200V DS Enhanced avalanche ruggednessR 10.4m DS(on) Maximum 175C junction temperatureI 95A D100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC and AC/DC ConverterSFW132N200I3Package

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