Справочник MOSFET. SFW132N200I3

 

SFW132N200I3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFW132N200I3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 402 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0132 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для SFW132N200I3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFW132N200I3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1074K  cn scilicon
 sfw132n200i3.pdf pdf_icon

SFW132N200I3

SFW132N200I3 N-MOSFET 200V, 10.4m, 95A Features Product Summary N-channel, normal levelV 200V DS Enhanced avalanche ruggednessR 10.4m DS(on) Maximum 175C junction temperatureI 95A D100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC and AC/DC ConverterSFW132N200I3Package

Другие MOSFET... SFW031N100C3 , SFW042N100C3 , SFW043N150C3 , SFW072N150C2 , SFW082N165C3 , SFW095N200C3 , SFW097N200C3 , SFW107N200C3 , RU7088R , SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 , SLC500MM15SHN2 , SLC500MM20SHN2 , SLC700MM10SCN2 , 2N70NL .

History: SPTP65R160 | IPP80N06S2L-07 | STP32NM50N | FCH041N60E | IRF522FI | UPA2708GR | STH110N10F7-2

 

 
Back to Top

 


 
.