SFW132N200I3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFW132N200I3
Маркировка: 132N200I3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 480 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 95 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 83 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 402 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0132 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для SFW132N200I3
SFW132N200I3 Datasheet (PDF)
..1. Size:1074K cn scilicon
sfw132n200i3.pdf
sfw132n200i3.pdf
SFW132N200I3 N-MOSFET 200V, 10.4m, 95A Features Product Summary N-channel, normal levelV 200V DS Enhanced avalanche ruggednessR 10.4m DS(on) Maximum 175C junction temperatureI 95A D100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC and AC/DC ConverterSFW132N200I3Package
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
