SLC500MM20SHN2 Todos los transistores

 

SLC500MM20SHN2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLC500MM20SHN2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 900 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 500 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SLC500MM20SHN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  cn scilicon
 slc500mm20shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM20SHN2200V NMOSFET500AAutomotive 200 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=200VID nom=500ARDS(ON) typ=2.5m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

 6.1. Size:735K  cn scilicon
 slc500mm10sct2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM10SCT2100V NMOSFET500AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=500ARDS(ON) typ=1.05m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling Ap

 6.2. Size:717K  cn scilicon
 slc500mm15shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM15SHN2150V NMOSFET500AAutomotive 150 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=150VID nom=500ARDS(ON) typ=1.2m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

Otros transistores... SFW097N200C3 , SFW107N200C3 , SFW132N200I3 , SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 , SLC500MM15SHN2 , EMB04N03H , SLC700MM10SCN2 , 2N70NL , AJCS10N65CT , AJCS160N08I , JCS10N65B , JCS10N65C , JCS10N65F , JCS10N65S .

History: STD4LN80K5 | NTMFS6H801N | CS6N70CRHD | STD11NM50N | IPI100N10S3-05 | TPC8047-H | HCD70R910

 

 
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