Справочник MOSFET. SLC500MM20SHN2

 

SLC500MM20SHN2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLC500MM20SHN2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 900 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 500 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SLC500MM20SHN2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLC500MM20SHN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  cn scilicon
 slc500mm20shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM20SHN2200V NMOSFET500AAutomotive 200 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=200VID nom=500ARDS(ON) typ=2.5m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

 6.1. Size:735K  cn scilicon
 slc500mm10sct2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM10SCT2100V NMOSFET500AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=500ARDS(ON) typ=1.05m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling Ap

 6.2. Size:717K  cn scilicon
 slc500mm15shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM15SHN2150V NMOSFET500AAutomotive 150 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=150VID nom=500ARDS(ON) typ=1.2m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

Другие MOSFET... SFW097N200C3 , SFW107N200C3 , SFW132N200I3 , SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 , SLC500MM15SHN2 , EMB04N03H , SLC700MM10SCN2 , 2N70NL , AJCS10N65CT , AJCS160N08I , JCS10N65B , JCS10N65C , JCS10N65F , JCS10N65S .

History: NTD4302-1G | SI5N60L-TF3-T | IRF7477PBF | SHD225456 | GSM4936S | 2SJ499 | 2SK3109-AZ

 

 
Back to Top

 


 
.