Справочник MOSFET. SLC500MM20SHN2

 

SLC500MM20SHN2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLC500MM20SHN2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 900 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 500 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 536 nC
   trⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SLC500MM20SHN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  cn scilicon
 slc500mm20shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM20SHN2200V NMOSFET500AAutomotive 200 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=200VID nom=500ARDS(ON) typ=2.5m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

 6.1. Size:735K  cn scilicon
 slc500mm10sct2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM10SCT2100V NMOSFET500AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=500ARDS(ON) typ=1.05m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling Ap

 6.2. Size:717K  cn scilicon
 slc500mm15shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM15SHN2150V NMOSFET500AAutomotive 150 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=150VID nom=500ARDS(ON) typ=1.2m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SHD239504 | SFB027N100C3 | FQB34P10TM | STD100N03LT4 | BRCS1C5P06MA

 

 
Back to Top

 


 
.