SLC500MM20SHN2 - описание и поиск аналогов

 

SLC500MM20SHN2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLC500MM20SHN2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 900 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 500 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для SLC500MM20SHN2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLC500MM20SHN2 даташит

 ..1. Size:810K  cn scilicon
 slc500mm20shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM20SHN2 200V N MOSFET 500A Automotive 200 V N-Channel MOSFET, 500A Half-Bridge Power Module. VDSS=200V ID nom=500A RDS(ON) typ=2.5m Features Low Rdson High current density High Ruggedness Halfbridge Easy paralleling App

 6.1. Size:735K  cn scilicon
 slc500mm10sct2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM10SCT2 100V N MOSFET 500A Automotive 100 V N-Channel MOSFET, 500A Half-Bridge Power Module. VDSS=100V ID nom=500A RDS(ON) typ=1.05m Features Low Rdson High current density High Ruggedness Halfbridge Easy paralleling Ap

 6.2. Size:717K  cn scilicon
 slc500mm15shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM20SHN2

SLC500MM15SHN2 150V N MOSFET 500A Automotive 150 V N-Channel MOSFET, 500A Half-Bridge Power Module. VDSS=150V ID nom=500A RDS(ON) typ=1.2m Features Low Rdson High current density High Ruggedness Halfbridge Easy paralleling App

Другие MOSFET... SFW097N200C3 , SFW107N200C3 , SFW132N200I3 , SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 , SLC500MM15SHN2 , AON7403 , SLC700MM10SCN2 , 2N70NL , AJCS10N65CT , AJCS160N08I , JCS10N65B , JCS10N65C , JCS10N65F , JCS10N65S .

History: 80N03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.