FDU3N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDU3N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDU3N40

FDU3N40 Datasheet (PDF)

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fdd3n40 fdu3n40.pdf

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..2. Size:1444K onsemi
fdd3n40 fdu3n40.pdf

9.1. Size:457K onsemi
fdu3n50nztu.pdf

FDU3N50NZTUN-Channel UniFET IIMOSFET500 V, 2.5 A, 2.5 WUniFET II MOSFET is ON Semiconductors high voltagewww.onsemi.comMOSFET family based on advanced planar stripe and DMOStechnology. This advanced MOSFET family has the smallest on-stateresistance among the planar MOSFET, and also provides superiorDswitching performance and higher avalanche energy strength. Inaddition,

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Liste

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