Справочник MOSFET. FDU3N40

 

FDU3N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDU3N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251 IPAK
 

 Аналог (замена) для FDU3N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU3N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  fairchild semi
 fdd3n40 fdu3n40.pdf pdf_icon

FDU3N40

February 2007TMUniFETFDD3N40 / FDU3N40400V N-Channel MOSFETFeatures Description 2A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 4.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.7 pF)This advanced technology has been especially ta

 ..2. Size:1444K  onsemi
 fdd3n40 fdu3n40.pdf pdf_icon

FDU3N40

 9.1. Size:457K  onsemi
 fdu3n50nztu.pdf pdf_icon

FDU3N40

FDU3N50NZTUN-Channel UniFET IIMOSFET500 V, 2.5 A, 2.5 WUniFET II MOSFET is ON Semiconductors high voltagewww.onsemi.comMOSFET family based on advanced planar stripe and DMOStechnology. This advanced MOSFET family has the smallest on-stateresistance among the planar MOSFET, and also provides superiorDswitching performance and higher avalanche energy strength. Inaddition,

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQP4N80 | CS80N60P3 | BR2N60 | 2N6661SM | SM2608NSC

 

 
Back to Top

 


 
.