FDU3N40 - описание и поиск аналогов

 

FDU3N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU3N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: TO251 IPAK

Аналог (замена) для FDU3N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU3N40 даташит

 ..1. Size:762K  fairchild semi
 fdd3n40 fdu3n40.pdf pdf_icon

FDU3N40

February 2007 TM UniFET FDD3N40 / FDU3N40 400V N-Channel MOSFET Features Description 2A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 4.5 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.7 pF) This advanced technology has been especially ta

 ..2. Size:1444K  onsemi
 fdd3n40 fdu3n40.pdf pdf_icon

FDU3N40

 9.1. Size:457K  onsemi
 fdu3n50nztu.pdf pdf_icon

FDU3N40

FDU3N50NZTU N-Channel UniFET II MOSFET 500 V, 2.5 A, 2.5 W UniFET II MOSFET is ON Semiconductor s high voltage www.onsemi.com MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior D switching performance and higher avalanche energy strength. In addition,

Другие MOSFET... FDT86102LZ , SDU03N04 , FDT86106LZ , SDU02N60 , FDT86113LZ , SDU02N25 , FDT86244 , FDT86246 , 10N60 , SDT03N04 , FDV305N , FDY1002PZ , FDY100PZ , FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.