SLC700MM10SCN2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SLC700MM10SCN2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 796 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 700 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 572 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLC700MM10SCN2

SLC700MM10SCN2 Datasheet (PDF)

..1. Size:881K cn scilicon
slc700mm10scn2.pdf

SLC700MM10SCN2100V NMOSFET700AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,700A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=700ARDS(ON) typ=0.6m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

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Liste

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