Справочник MOSFET. SLC700MM10SCN2

 

SLC700MM10SCN2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLC700MM10SCN2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 796 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 700 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SLC700MM10SCN2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLC700MM10SCN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  cn scilicon
 slc700mm10scn2.pdf pdf_icon

SLC700MM10SCN2

SLC700MM10SCN2100V NMOSFET700AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,700A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=700ARDS(ON) typ=0.6m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

Другие MOSFET... SFW107N200C3 , SFW132N200I3 , SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 , SLC500MM15SHN2 , SLC500MM20SHN2 , IRF9640 , 2N70NL , AJCS10N65CT , AJCS160N08I , JCS10N65B , JCS10N65C , JCS10N65F , JCS10N65S , JCS10N70B .

History: SQP120N10-3M8 | IPS60R1K0PFD7S

 

 
Back to Top

 


 
.