SLC700MM10SCN2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLC700MM10SCN2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 796 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 700 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 14800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SLC700MM10SCN2
SLC700MM10SCN2 Datasheet (PDF)
slc700mm10scn2.pdf

SLC700MM10SCN2100V NMOSFET700AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,700A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=700ARDS(ON) typ=0.6m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App
Другие MOSFET... SFW107N200C3 , SFW132N200I3 , SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 , SLC500MM15SHN2 , SLC500MM20SHN2 , IRFZ48N , 2N70NL , AJCS10N65CT , AJCS160N08I , JCS10N65B , JCS10N65C , JCS10N65F , JCS10N65S , JCS10N70B .
History: AM3422
History: AM3422



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815