Справочник MOSFET. SLC700MM10SCN2

 

SLC700MM10SCN2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SLC700MM10SCN2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 796 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 700 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 572 nC
   Время нарастания (tr): 210 ns
   Выходная емкость (Cd): 14800 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.001 Ohm
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SLC700MM10SCN2

 

 

SLC700MM10SCN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  cn scilicon
slc700mm10scn2.pdf

SLC700MM10SCN2
SLC700MM10SCN2

SLC700MM10SCN2100V NMOSFET700AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,700A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=700ARDS(ON) typ=0.6m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P55NF06 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
Back to Top