SLC700MM10SCN2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLC700MM10SCN2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 796 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 700 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 572 nC
Время нарастания (tr): 210 ns
Выходная емкость (Cd): 14800 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.001 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SLC700MM10SCN2
SLC700MM10SCN2 Datasheet (PDF)
..1. Size:881K cn scilicon
slc700mm10scn2.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
slc700mm10scn2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SLC700MM10SCN2100V NMOSFET700AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,700A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=700ARDS(ON) typ=0.6m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![SLC700MM10SCN2](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SLC700MM10SCN2](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SLC700MM10SCN2](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCES120R018T4 | NCES120P075T4 | NCES120P035T4 | NCES075R026T4 | NCES075R026T | NCEP60ND60G | NCEP60ND30AG | NCEP40T14A | NCEP40ND80G | NCEP1580F | NCEP023NH85GU | NCEP023NH85AGU | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30GU | NCEP015NH30AQU | NCEP015NH30AGU