AJCS10N65CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AJCS10N65CT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 178 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 34 nC
Tiempo de subida (tr): 109 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 156 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.95 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AJCS10N65CT
AJCS10N65CT Datasheet (PDF)
ajcs10n65ct.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET AJCS10N65CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10A VDSS 650V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS Electronic ballast UPS UPS Automotive applications High frequency switching
ajcs160n08i.pdf
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