AJCS10N65CT Todos los transistores

 

AJCS10N65CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AJCS10N65CT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 109 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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AJCS10N65CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  jilin sino
 ajcs10n65ct.pdf pdf_icon

AJCS10N65CT

N RN-CHANNEL MOSFET AJCS10N65CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10A VDSS 650V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS Electronic ballast UPS UPS Automotive applications High frequency switching

 9.1. Size:457K  jilin sino
 ajcs160n08i.pdf pdf_icon

AJCS10N65CT

N N-CHANNEL MOSFET AJCS160N08I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 160A VDSS 80V Rdson-max - 5.5m (@Vgs=10V Qg-typ 133nC APPLICATIONS DC/DC High power DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control

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History: JCS640C | TK12P60W | PJU4NA70 | PJU5NA50 | AFN12N60T220T | FMC06N60ES | PTP04N04A

 

 
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