AJCS10N65CT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AJCS10N65CT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 109 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm

Encapsulados: TO220

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AJCS10N65CT datasheet

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AJCS10N65CT

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AJCS10N65CT

N N-CHANNEL MOSFET AJCS160N08I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 160A VDSS 80V Rdson-max - 5.5m (@Vgs=10V Qg-typ 133nC APPLICATIONS DC/DC High power DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control

Otros transistores... SFW1800N650C2, SFW280N600BC4, SFW280N600C4, SLC500MM10SCT2, SLC500MM15SHN2, SLC500MM20SHN2, SLC700MM10SCN2, 2N70NL, RU7088R, AJCS160N08I, JCS10N65B, JCS10N65C, JCS10N65F, JCS10N65S, JCS10N70B, JCS10N70C, JCS10N70F