Справочник MOSFET. AJCS10N65CT

 

AJCS10N65CT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AJCS10N65CT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 109 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AJCS10N65CT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AJCS10N65CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  jilin sino
 ajcs10n65ct.pdf pdf_icon

AJCS10N65CT

N RN-CHANNEL MOSFET AJCS10N65CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10A VDSS 650V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS Electronic ballast UPS UPS Automotive applications High frequency switching

 9.1. Size:457K  jilin sino
 ajcs160n08i.pdf pdf_icon

AJCS10N65CT

N N-CHANNEL MOSFET AJCS160N08I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 160A VDSS 80V Rdson-max - 5.5m (@Vgs=10V Qg-typ 133nC APPLICATIONS DC/DC High power DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control

Другие MOSFET... SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 , SLC500MM15SHN2 , SLC500MM20SHN2 , SLC700MM10SCN2 , 2N70NL , MMD60R360PRH , AJCS160N08I , JCS10N65B , JCS10N65C , JCS10N65F , JCS10N65S , JCS10N70B , JCS10N70C , JCS10N70F .

History: 2SK3645-01MR | SRC4N65DTR | VBZM80N10 | HPP120N08STA | NCE0202M | NCEP0135AK | SL8N100T

 

 
Back to Top

 


 
.