SDT03N04 Todos los transistores

 

SDT03N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDT03N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.4 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de SDT03N04 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SDT03N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  samhop
 sdt03n04.pdf pdf_icon

SDT03N04

GreenProductSDT03N04aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) () TypR ugged and reliable.S urface Mount Package.400V 1.5A 3.5 @ VGS=10VDGGSSSOT - 22 3(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol

Otros transistores... SDU03N04 , FDT86106LZ , SDU02N60 , FDT86113LZ , SDU02N25 , FDT86244 , FDT86246 , FDU3N40 , IRFB4110 , FDV305N , FDY1002PZ , FDY100PZ , FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ .

History: BR1N60 | LSS65R1K5HT

 

 
Back to Top

 


 
.