SDT03N04 Todos los transistores

 

SDT03N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDT03N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

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SDT03N04 Datasheet (PDF)

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sdt03n04.pdf

SDT03N04
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GreenProductSDT03N04aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) () TypR ugged and reliable.S urface Mount Package.400V 1.5A 3.5 @ VGS=10VDGGSSSOT - 22 3(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol

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