SDT03N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDT03N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.98 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Encapsulados: SOT223
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SDT03N04 datasheet
sdt03n04.pdf
Green Product SDT03N04 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor F E ATUR E S PRODUCT SUMMARY S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ R ugged and reliable. S urface Mount Package. 400V 1.5A 3.5 @ VGS=10V D G G S S SOT - 22 3 (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol
Otros transistores... SDU03N04 , FDT86106LZ , SDU02N60 , FDT86113LZ , SDU02N25 , FDT86244 , FDT86246 , FDU3N40 , AON6414A , FDV305N , FDY1002PZ , FDY100PZ , FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ .
History: IXFH16N50P
History: IXFH16N50P
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Liste
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