SDT03N04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SDT03N04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: SOT223
SDT03N04 Datasheet (PDF)
sdt03n04.pdf
GreenProductSDT03N04aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) () TypR ugged and reliable.S urface Mount Package.400V 1.5A 3.5 @ VGS=10VDGGSSSOT - 22 3(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol
Другие MOSFET... SDU03N04 , FDT86106LZ , SDU02N60 , FDT86113LZ , SDU02N25 , FDT86244 , FDT86246 , FDU3N40 , IRFB4115 , FDV305N , FDY1002PZ , FDY100PZ , FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918