SDT03N04. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SDT03N04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для SDT03N04
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SDT03N04 даташит
sdt03n04.pdf
Green Product SDT03N04 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor F E ATUR E S PRODUCT SUMMARY S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ R ugged and reliable. S urface Mount Package. 400V 1.5A 3.5 @ VGS=10V D G G S S SOT - 22 3 (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol
Другие MOSFET... SDU03N04 , FDT86106LZ , SDU02N60 , FDT86113LZ , SDU02N25 , FDT86244 , FDT86246 , FDU3N40 , AON6414A , FDV305N , FDY1002PZ , FDY100PZ , FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet

