Справочник MOSFET. SDT03N04

 

SDT03N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDT03N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.4 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для SDT03N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDT03N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  samhop
 sdt03n04.pdf pdf_icon

SDT03N04

GreenProductSDT03N04aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) () TypR ugged and reliable.S urface Mount Package.400V 1.5A 3.5 @ VGS=10VDGGSSSOT - 22 3(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol

Другие MOSFET... SDU03N04 , FDT86106LZ , SDU02N60 , FDT86113LZ , SDU02N25 , FDT86244 , FDT86246 , FDU3N40 , IRFB4110 , FDV305N , FDY1002PZ , FDY100PZ , FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ .

History: BR1N60 | LSS65R1K5HT

 

 
Back to Top

 


 
.